Двухслойный магнитный экран из пермаллоя для исследовательских установок
КБ-78 разработало и изготовило двухслойный магнитный экран для исследовательской установки. Внутренний и внешний слои изготовлены из магнитомягкого пермаллоя; между ними расположен каркас из немагнитного алюминия. Для крепления применены латунные детали. Конструкция снижает влияние внешних постоянных и переменных магнитных полей на рабочую зону установки. На изготовленном экране измерен коэффициент экранирования до 700 раз для постоянного поля и до 1500 раз для переменного поля частотой 50 Гц. Результаты относятся к реализованной конфигурации экрана.
Назначение экрана
Двухслойный магнитный экран предназначен для снижения влияния внешних постоянных и переменных магнитных полей на исследовательскую установку. Конструкция разработана под параметры конкретного проекта.
Конструкция и материалы
Внутренний и внешний слои выполнены из магнитомягкого пермаллоя. Между ними расположен каркас из немагнитного алюминия. Для крепления применены латунные детали, чтобы не вносить в конструкцию ферромагнитные элементы.
Результаты измерений
На изготовленном экране измерен коэффициент экранирования до 700 раз для постоянного поля и до 1500 раз для переменного поля частотой 50 Гц. Значения относятся к реализованной конфигурации и не являются универсальной характеристикой экранов других размеров или конструкций.
Проектирование под установку
При разработке экрана учитываются габариты рабочей зоны, размещение оборудования, допустимые материалы конструктивных элементов и требования к остаточному магнитному полю.
- Тип: двухслойный магнитный экран для исследовательской установки.
- Материал внутреннего и внешнего слоёв: магнитомягкий пермаллой.
- Межслойный каркас: немагнитный алюминий.
- Крепёжные элементы: латунь.
- Измеренный коэффициент экранирования постоянного поля: до 700 раз.
- Измеренный коэффициент экранирования переменного поля 50 Гц: до 1500 раз.
- Двухслойная конструкция из пермаллоя.
- Немагнитный алюминиевый межслойный каркас.
- Латунный крепёж без ферромагнитных элементов.
- Измеренное экранирование постоянного и переменного поля 50 Гц на реализованном проекте.
- Разработка конструкции под параметры исследовательской установки.
- Исследовательские установки, чувствительные к внешним магнитным полям.
- Лабораторные и научные эксперименты с требованиями к снижению магнитных помех.
- Экранирование постоянных полей и переменных полей промышленной частоты 50 Гц в пределах параметров конкретного проекта.
← Назад в раздел